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UPA2720GR-E1

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2720GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2720GR-E1-A

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2720GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID

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更多UPA2720GR-E1供應(yīng)商 更新時間2025-2-24 22:30:00

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