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UPA2724UT1A-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2724UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=5.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?Lowinputcapacitance Ciss=4400pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2724UT1A-E2-AZ

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2724UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=3.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=5.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?Lowinputcapacitance Ciss=4400pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

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