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UPA2726UT1A-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2726UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=11.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=10A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1720pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2726UT1A-E1-AZ

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2726UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=11.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=10A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1720pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V)

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更多UPA2726UT1A-E1-AY供應(yīng)商 更新時間2025-2-25 14:16:00

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