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UPA2793GR-E1-AZ

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2793GRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) P-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPA2793GR-E1-AZ供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-14 11:30:00

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