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UPA2794AGR-E1-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2794AGRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES ?Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=25mΩMAX.(VGS=10V,ID=2.8A) RDS(on)2=33mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=2.8A) P-channelRDS(on)1=43mΩMAX.(VGS

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更多UPA2794AGR-E1-AT供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 16:36:00

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