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UPA801T-T1

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

TheμPA801Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES ?LowNoiseNF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA ?HighGain|S21e|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA ?AMiniMoldPackageAdopted

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA801T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY

CEL

California Eastern Labs

UPA801T-T1-A

包裝：托盤 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    UPA801T-T1

  • 功能描述：

    射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 配置：

    Single

  • 晶體管極性：

    NPN

  • 最大工作頻率：

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    0.15 A

  • 功率耗散：

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 封裝/箱體：

    SOT-223

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
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SOT363
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更多UPA801T-T1供應(yīng)商 更新時間2024-12-25 16:36:00

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