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UPA806T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA806T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA806T-T1-A

Package：6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 類別：分立半導體產品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363

CEL

California Eastern Labs

UPA806T-T1

MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR

FEATURES ?LowNoise,HighGain ?OperableatLowVoltage ?SmallFeed-backCapacitanceCre=0.4pFTYP. ?Built-in2Transistors(2×2SC4959)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA806T-T1

MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2ELEMENTSMINIMOLD

FEATURES ?LowNoise,HighGain ?OperableatLowVoltage ?SmallFeed-backCapacitanceCre=0.4pFTYP. ?Built-in2Transistors(2×2SC4959)

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

產品屬性

  • 產品編號：

    UPA806T-T1-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    6V

  • 頻率 - 躍遷：

    12GHz

  • 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.5dB @ 2GHz

  • 增益：

    8.5dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    75 @ 10mA，3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應商器件封裝：

    SOT-363

  • 描述：

    RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
原廠正品
23+
SC70-6
5000
原裝正品,假一罰十
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23+
SOT363
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SOT363
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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SOT-363
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絕對原裝現貨
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NEC
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SOT363
3000
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CEL
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原廠原包
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只做進口原裝 終端工廠免費送樣
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RENESAS
21+
SOT363
31247
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 詢價
更多UPA806T-T1-A供應商 更新時間2025-2-24 15:35:00

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