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UPA901TU-A規(guī)格書(shū)詳情
NPN SiGe RF IC
IN A 8-PIN LEAD-LESS MINIMOLD
DESCRIPTION
The μPA901TU is a silicon germanium HBT IC designed for the power amplifier of 5.8 GHz cordless phone and
other 5.8 GHz applications. This IC consists of two stage amplifiers and has excellent performance, high efficiency,
high gain, low power consumption.
The device is packaged in surface mount 8-pin lead-less minimold plastic package.
The device is fabricated with our SiGe HBT process UHS2-HV technology.
FEATURES
? Output Power : Pout = 19 dBm @ Pin = ?3 dBm, VCE = 3.6 V, f = 5.8 GHz
? Low Power : IC = 90 mA @ Pin = ?3 dBm, VCE = 3.6 V, f = 5.8 GHz
? Single Power Supply Operation : VCE = 3.6 V
? Built-in bias circuit
? 8-pin lead-less minimold (2.0 × 2.2 × 0.5 mm)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
UPA901TU-A
- 功能描述：
射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN SiGe Pwr Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
NXP Semiconductors
- 配置：
Single
- 晶體管極性：
NPN
- 最大工作頻率：
7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
15 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
2 V
- 集電極連續(xù)電流：
0.15 A
- 功率耗散：
1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 封裝/箱體：
SOT-223
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
1948+ |
CQFP-24 |
6852 |
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NEC |
05+ |
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NEC |
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NEC |
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NEC |
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