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UPD166005GR-E1-AZ

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ?Hightemperatureoperation(Tch=175°CMAX.) ?Built-inchargepumpcircuit ?Lowon-stateresistance RDS(on)=100mΩMAX.(VIN=VIH,IO=1.5A,Tch=25°C) ?Built-inprotectioncircuit -Currentlimitation -Overtemperatureprotection ?Built-inopenloaddetectioncircui

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPD166005GR-E1-AZ供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 15:48:00

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