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UPD166100GR-E1-AZ

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES Builtincurrentlimitandthermalshutdowncircuit. Thermalshutdownwillautomaticallyrestartafter thechanneltemperaturehascooldown. Lowon-stateresistance:RDS(ON)=160mΩ (VIN=5V,IOUT=0.8A,Tch=25°C) Builtindynamicclampcircuit uPD166101:DualchannelLow-s

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPD166100GR-E1-AZ供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 9:12:00

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