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UPD753016GC-XXX-3B9中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UPD753016GC-XXX-3B9
廠商型號

UPD753016GC-XXX-3B9

功能描述

MOS INTEGRATED CIRCUIT

文件大小

583.76 Kbytes

頁面數(shù)量

82

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-6 18:04:00

UPD753016GC-XXX-3B9規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low voltage operation: VDD = 2.2 to 5.5 V

· Can be driven by two 1.5 V batteries

? On-chip memory

· Program memory (ROM):

12288 ′ 8 bits (mPD753012)

16384 ′ 8 bits (mPD753016)

24576 ′ 8 bits (mPD753017)

· Data memory (RAM):

1024 ′ 4 bits

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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