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UPD753016GC-XXX-3B9

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ?Lowvoltageoperation:VDD=2.2to5.5V ·Canbedrivenbytwo1.5Vbatteries ?On-chipmemory ·Programmemory(ROM): 12288′8bits(mPD753012) 16384′8bits(mPD753016) 24576′8bits(mPD753017) ·Datamemory(RAM): 1024′4bits

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多UPD753016GC-XXX-3B9供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-4 15:51:00

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