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UTV8100B分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

UTV8100B
廠商型號

UTV8100B

參數(shù)屬性

UTV8100B 封裝/外殼為55RT;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT

功能描述

100 Watts Pk, 28 Volt, Class AB UHF Television - Band IV & V

封裝外殼

55RT

文件大小

304.92 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 GHz Technology
企業(yè)簡稱

GHZTECH

中文名稱

GHz Technology官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-16 8:00:00

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UTV8100B規(guī)格書詳情

GENERAL DESCRIPTION

The UTV8100B is a COMMON EMITTER transistor capable of providing 100 Watt Peak, Class AB, RF Output Power over the band 470 - 860 MHz. The transistor includes double input and output prematching for full broadband capability. Gold Metalization and Diffused Ballasting are used to provide high reliability and supreme ruggedness.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    UTV8100B

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    60V

  • 頻率 - 躍遷:

    470MHz ~ 860MHz

  • 增益:

    8.5dB ~ 9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    290W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 1A,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    15A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    55RT

  • 供應商器件封裝:

    55RT

  • 描述:

    RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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2023+PB
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85000
詢價
TOSHIBA/東芝
24+
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23+
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