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V12PM63HM3SLASHI中文資料威世科技數據手冊PDF規(guī)格書

V12PM63HM3SLASHI
廠商型號

V12PM63HM3SLASHI

功能描述

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 6 A

文件大小

106.09 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導體官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-14 22:59:00

V12PM63HM3SLASHI規(guī)格書詳情

? Very low profile - typical height of 1.1 mm

? Trench MOS Schottky technology

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

? AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code; base P/NHM3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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