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V12PM63HM3SLASHI

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 6 A

?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3

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V12PM63HM3/H

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V12PM63HM3/I

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

V12PM63HM3SLASHH

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.43VatIF=6A

?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3

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更多V12PM63HM3SLASHI供應商 更新時間2025-2-14 11:06:00

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