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V20150C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordanc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20150C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V20150C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V20150C-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABa

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V20150C-E3

Trench MOS Schottky technology

UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10

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V20150C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordanc

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V20150C-E3_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABa

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V20150C_11

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

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V20150C_12

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V20150C_15

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    V20150C

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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23+
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多V20150C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-6 9:12:00

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