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V35PW60

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.3mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V35PW60

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V35PW60_V01

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.3mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Idealforautomatedplacement ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V35PW60HM3/I

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V35PW60-M3/I

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V35PW60HM3/I

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V35PW60-M3/I

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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更多V35PW60供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00