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V40100C-E3_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?Lowthermalresistance ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD 22-B106

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

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更多V40100C-E3_V01供應商 更新時間2025-3-15 11:00:00

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