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VB20150SG

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20150SG

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20150SG

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20150SG-E3

High efficiency operation

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20150SG-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20150SG-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20150SG-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20150SG-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20150SG-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20150SG-E3/4W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    VB20150SG

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱(chēng)：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY
23+
TO-263
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
達(dá)高TECCOR
23+
TO-220
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢(xún)價(jià)
VISHAY/威世
23+
TO-263
10000
公司只做原裝正品
 詢(xún)價(jià)
VISHAY/威世
22+
TO-263
6000
十年配單,只做原裝
 詢(xún)價(jià)
VISHAY/威世
23+
TO-263
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
VISHAY/威世
22+
TO-263
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單
 詢(xún)價(jià)
VISHAY
24+
TO-263
12300
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢(xún)價(jià)
VISHAY
24+
TO-263
5000
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷(xiāo)售
 詢(xún)價(jià)
VISHAY
22+23+
TO-263
8000
新到現(xiàn)貨，只做原裝進(jìn)口
 詢(xún)價(jià)
VISHAY/威世
22+
TO-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢(xún)價(jià)
更多VB20150SG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-31 14:02:00

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