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VB30M120C-M3SLASHI

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB30M120C-M3

TrenchMOSSchottkytechnology

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VB30M120C-M3/I

DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VF30M120C-M3

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

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TrenchMOSSchottkytechnology

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VI30M120C-M3

DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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更多VB30M120C-M3SLASHI供應(yīng)商 更新時間2025-3-17 9:30:00

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