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VBT2045BP-M3_V01

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO

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更多VBT2045BP-M3_V01供應(yīng)商 更新時間2024-11-17 15:00:00

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