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VBT3045BP-E3_V01

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C ?TJ=200°Cmax.insolarbypassapplication ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasese

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多VBT3045BP-E3_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-26 15:00:00

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