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VBT4060C_V01

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C ?NotrecommendedforPCBbottomsidewavemounting ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance plea

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT4060C_V01

DualTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多VBT4060C_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-27 10:30:00

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