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50P06

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP50P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?25A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?25A) ?Lowinputcapacitance

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

50P06

IscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

50P06

P-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

50P06

-50A,-60VP-CHANNEL(D-S)POWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

50P06

P-Channel60-V(D-S),175CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

50P06

P-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

BR50P06

P-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

FIR50P06PG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司

FQD50P06

iscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

HM50P06

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VBsemi(臺灣微碧)
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更多VBZE50P06供應(yīng)商 更新時間2025-2-23 15:00:00

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