首頁 >VF20120C>規(guī)格書列表

零件編號(hào)下載&訂購功能描述制造商&上傳企業(yè)LOGO

VF20120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20120C

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20120C_V01

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20120C-E3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) ?Componentinacco

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20120C_10

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20120C_15

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20120C-E3/4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20120C-M3-4W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VF20120C-E3/4W

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VF20120C-M3/4W

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V ITO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    VF20120C

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
VISHAY
23+
TO-220
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
VISHAY
1735+
TO220F
6528
科恒偉業(yè)!只做原裝正品!假一賠十!
 詢價(jià)
VISHAY原裝
22+23+
TO-220F
23892
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
VISHAY原裝
19+
TO-220F
9860
一級(jí)代理
 詢價(jià)
VISHAY
2020+
TO220F
8000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)
VISHAY
2023+
TO-220
80000
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
VISHAY
21+
TO220F
50
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
VISHAY
23+
TO-220F
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
中性
23+
TO220F-3
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
更多VF20120C供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-24 10:32:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多