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VF20120SG-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B

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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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包裝：帶盒（TB） 封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A

UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VF20120SG-E3/4W

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    TMBS?

  • 包裝：

    帶盒（TB）

  • 二極管類型：

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    20A

  • 速度：

    快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 全封裝，隔離接片

  • 供應商器件封裝：

    ITO-220AB

  • 工作溫度 - 結：

    -40°C ~ 150°C

  • 描述：

    DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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