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VI30120S-E3	文件：216.68 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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VI30120S-E3/4W	文件：136.8 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI30120S-E3/4W	文件：165.91 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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VI30120S-E3/4W	文件：161.43 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI30120S-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO262AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
VI30120S-E3
功能描述：
肖特基二極管與整流器 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
產(chǎn)品：
Schottky Diodes
峰值反向電壓：
2 V
正向連續(xù)電流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向電壓下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作溫度范圍：
- 65 C to + 150 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
SOT-143
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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