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VI30120S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VI30120S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.43VatIF=5A

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更多VI30120S-E3SLASH4W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-21 16:15:00

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