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VNB35N07-E集成電路（IC）的配電開關(guān)負載驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

VNB35N07-E
廠商型號

VNB35N07-E
參數(shù)屬性

VNB35N07-E 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的配電開關(guān)負載驅(qū)動器；產(chǎn)品描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
功能描述

OMNIFET: fully autoprotected Power MOSFET
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
封裝外殼

TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文件大小

464.56 Kbytes
頁面數(shù)量

24 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-10 16:47:00
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VNB35N07-E規(guī)格書詳情

Description

The VNP35N07-E, VNB35N07-E and

VNV35N07-E are monolithic devices made using

STMicroelectronics VIPower? technology,

intended for replacement of standard Power

MOSFETs in DC to 50 KHz applications.

Built-in thermal shutdown, linear current limitation

and overvoltage clamp protect the chip in harsh

environments.

Fault feedback can be detected by monitoring the

voltage at the input pin.

Features

? Automotive qualified

? Linear current limitation

? Thermal shutdown

? Short circuit protection

? Integrated clamp

? Low current drawn from input pin

? Diagnostic feedback through input pin

? ESD protection

? Direct access to the gate of the Power

MOSFET (analog driving)

? Compatible with standard Power MOSFET

? Standard TO-220 package

? Compliant with 2002/95/EC European directive

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    VNB35N07-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負載驅(qū)動器

  • 系列：

    OMNIFET?, VIPower?

  • 包裝：

    管件

  • 開關(guān)類型：

    通用

  • 輸出數(shù)：

    1

  • 比率 - 輸入：

    1：1

  • 輸出配置：

    低端

  • 輸出類型：

    N 通道

  • 接口：

    開/關(guān)

  • 電壓 - 負載：

    55V（最大）

  • 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：

    不需要

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    25A

  • 導(dǎo)通電阻（典型值）：

    28 毫歐（最大）

  • 輸入類型：

    非反相

  • 特性：

    狀態(tài)標志

  • 故障保護：

    限流（固定），超溫，過壓

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 描述：

    IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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