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VND830SPTR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：PowerSO-10 裸露底部焊盤類別：集成電路（IC）配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNQ830	文件：308.59 Kbytes Page：20 Pages	QUADCHANNELHIGHSIDEDRIVER Description TheVNQ830isaquadHSDformedbyassemblingtwoVND830chipsinthesameSO-28package.TheVND830isamonolithicdevicemadeusing\|STMicroelectronics?VIPower?M0-3Technology.Thedeviceisintendedfordrivinganytypeofmultipleloadwithonesideconnectedtoground. Featur	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNQ830-E	文件：241.91 Kbytes Page：21 Pages	QUADCHANNELHIGHSIDEDRIVER DESCRIPTION TheVNQ830-EisaquadHSDformedbyassemblingtwoVND830-EchipsinthesameSO-28package.TheVNQ830-Eisamonolithicdevicemadebyusing\|STMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology.TheVNQ830-Eisintendedfordrivinganytypeofmultipleloadswithonesideconnectedtogroun	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNQ830M	文件：315.97 Kbytes Page：20 Pages	QUADCHANNELHIGHSIDEDRIVER DESCRIPTION TheVNQ830MisaquadHSDformedbyassemblingtwoVND830MchipsinthesameSO-28package.TheVND830Misamonolithicdevicemadebyusing\|STMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology.TheVNQ830Misintendedfordrivinganytypeofmultipleloadswithonesideconnectedtoground.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNQ830M	文件：211.2 Kbytes Page：21 Pages	QUADCHANNELHIGHSIDEDRIVER	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNQ830M-E	文件：234.12 Kbytes Page：21 Pages	QUADCHANNELHIGHSIDEDRIVER	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNQ830P-E	文件：406.6 Kbytes Page：28 Pages	Quadchannelhigh-sidedriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNQ830PEP-E	文件：411.79 Kbytes Page：27 Pages	Quadchannelhighsidedriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VNQ830PEPTR-E	文件：411.79 Kbytes Page：27 Pages	Quadchannelhighsidedriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
VSC830	文件：182.89 Kbytes Page：18 Pages	2.7Gb/sAsynchronousDual2x2CrosspointSwitch GeneralDescription TheVSC830isamonolithicdual2x2asynchronouscrosspointswitch,designedforcriticalsignalpathcontrolandbufferingapplications,suchasloop-back,protectionswitching,andmulti-channelbackplanedriver/receivers.Signalpathdelayistightlymatchedbetweeneachou	VITESSE Vitesse Semiconductor Corporation	VITESSE
VSC830QZ	文件：182.89 Kbytes Page：18 Pages	2.7Gb/sAsynchronousDual2x2CrosspointSwitch GeneralDescription TheVSC830isamonolithicdual2x2asynchronouscrosspointswitch,designedforcriticalsignalpathcontrolandbufferingapplications,suchasloop-back,protectionswitching,andmulti-channelbackplanedriver/receivers.Signalpathdelayistightlymatchedbetweeneachou	VITESSE Vitesse Semiconductor Corporation	VITESSE
WFD830	文件：592.88 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
WFD830B	文件：434.55 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWinsemi’sadvancedplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,haveahighruggedavalanchecharacteristics.Thisdevicesisspeciallywellsuitedforhighefficiency	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
WFD830B	文件：291.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
WFF830	文件：586.41 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
WFF830	文件：830.63 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	WISDOM Wisdom technologies Int`l	WISDOM
WFP830	文件：504.71 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
WFP830	文件：827.09 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	WISDOM Wisdom technologies Int`l	WISDOM
WFP830B	文件：482.74 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi
WFU830	文件：592.97 Kbytes Page：7 Pages	SiliconN-ChannelMOSFET GeneralDescription ThisPowerMOSFETisproducedusingWinsemi’sadvancedplanarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,haveahighruggedavalanchecharacteristics.Thisdevicesisspeciallywellsuitedforhighefficiencys	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司	Winsemi

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
VND830SPTR-E
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動器
系列：
VIPower?
包裝：
卷帶（TR）
開關(guān)類型：
通用
輸出數(shù)：
2
比率 - 輸入：
1：1
輸出配置：
高端
輸出類型：
N 通道
接口：
開/關(guān)
電壓 - 負(fù)載：
5.5V ~ 36V
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：
不需要
電流 - 輸出（最大值）：
6A
導(dǎo)通電阻（典型值）：
60 毫歐（最大）
輸入類型：
非反相
特性：
帶有自動重啟功能
故障保護(hù)：
限流（固定），開路負(fù)載檢測，超溫，過壓
工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：
10-PowerSO
封裝/外殼：
PowerSO-10 裸露底部焊盤
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市星宇佳科技有限公司	VND830SPTR-E	STM	23+	PowerSO 10	2400		詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	VND830SPTR-E	STMicroelectronics	24+	10-PowerSO	25717	意法電源管理芯片-原裝正品	詢價
深圳市冠億通科技有限公司	VND830SPTR-E	ST(意法)	21+		5000	只做原裝假一罰百可開票可售樣	詢價
博速半導(dǎo)體（深圳）有限公司	VND830SPTR-E	ST	ROHS環(huán)保	SOP10	3689	原裝正品，支持實(shí)單	詢價
深圳市英特法電子科技有限公司	VND830SPTR-E	ST	23+	POWERSO-10	3000	原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗(yàn)、終端BOM表可配單提供	詢價
深圳市宇爍芯半導(dǎo)體科技有限公司	VND830SPTR-E	ST(意法)	2023		10000	全新、原裝	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	VND830SPTR-E	ST(意法半導(dǎo)體)	23+	PowerSO-10	1330	特價優(yōu)勢庫存質(zhì)量保證穩(wěn)定供貨	詢價
深圳市豪邁興電子有限公司	VND830SPTR-E	ST(意法)	2313+	PowerSO-10	5020	只做原裝現(xiàn)貨假一罰十!價格最低!只賣原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市得捷芯城科技有限公司	VND830SPTR-E	ST(意法半導(dǎo)體)	23+	PowerSO-10	5486	百分百原裝正品,可原型號開票	詢價
柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	VND830SPTR-E	ST	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)	詢價

更多VND830SPTR-E供應(yīng)商更新時間2024-12-23 17:30:00

產(chǎn)品屬性

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