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VNP10N06FI

ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY

Description TheVND10N06andVND10N06-1aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-2technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinh

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

VNP10N06FI

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 整包 類別：集成電路（IC） 配電開關(guān)，負載驅(qū)動器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220FP

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

EMD10N06A

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMD10N06E

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)10mΩ ID100A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

HM10N06Q

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

KI10N06DY

N-ChannelMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

LMAK10N06

60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

MTM10N06E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTP10N06

N-ChannelPowerMOSFETs,11A,60-100V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,converters,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

MTP10N06E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SDD10N06

DiscreteDiodes

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

SDD10N06

10AmpereHeatsinkDualTandemPolarityGeneralPurposeRectifierDiodes

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

SDP10N06

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SK10N06

N-Channel60V(D-S)MOSFET

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

SSPR10N06-C

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

TSJ10N06AT

60VN-ChannelDTMOS

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司

TSM10N06

60VN-ChannelMOSFET

Features ●AdvanceTrenchProcessTechnology ●HighDensityCellDesignforUltraLowOn-resistance Application ●LoadSwitch ●PASwitch

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

TSM10N06CP

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

TSM10N06CPRO

60VN-ChannelMOSFET

Features ●AdvanceTrenchProcessTechnology ●HighDensityCellDesignforUltraLowOn-resistance Application ●LoadSwitch ●PASwitch

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

VND10N06

fullyautoprotectedPowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VNP10N06FI

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負載驅(qū)動器

  • 系列：

    OMNIFET?, VIPower?

  • 包裝：

    管件

  • 開關(guān)類型：

    通用

  • 輸出數(shù)：

    1

  • 比率 - 輸入：

    1：1

  • 輸出配置：

    低端

  • 輸出類型：

    N 通道

  • 接口：

    開/關(guān)

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    6A

  • 導通電阻（典型值）：

    150 毫歐

  • 輸入類型：

    非反相

  • 故障保護：

    限流（固定），超溫，過壓

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應商器件封裝：

    TO-220FP

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 描述：

    IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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