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VNP35N07

??MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION TheVNP35N07isamonolithicdevicemadeusingSGS-THOMSONVerticalIntelligentPowerM0Technology,intendedforreplacementofstandardpowerMOSFETSinDCto50KHzapplications.Built-inthermalshut-down,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharsh

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNP35N07

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNP35N07-E

OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-EandVNV35N07-EaremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPower?technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthe

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNP35N07-E

OMNIFET: fully autoprotected Power MOSFET

Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-Eand VNV35N07-Earemonolithicdevicesmadeusing STMicroelectronicsVIPower?technology, intendedforreplacementofstandardPower MOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitation andovervoltageclampprotect

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNP35N07FI

OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-EandVNV35N07-EaremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPower?technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNP35N07TR-E

OMNIFET: fully autoprotected Power MOSFET

Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-Eand VNV35N07-Earemonolithicdevicesmadeusing STMicroelectronicsVIPower?technology, intendedforreplacementofstandardPower MOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitation andovervoltageclampprotect

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNP35N07FI

??MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNP35N07-E

Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：集成電路（IC） 配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNP35N07FI

Package：ISOWATT-220-3；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器 描述：IC PWR DRVR N-CH 1:1 ISOWATT220

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

VNV35N07

OMNIFETFULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

Description TheVNP35N07-E,VNB35N07-EandVNV35N07-EaremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPower?technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthe

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VNP35N07

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器

  • 系列：

    OMNIFET?, VIPower?

  • 包裝：

    管件

  • 開(kāi)關(guān)類型：

    通用

  • 輸出數(shù)：

    1

  • 比率 - 輸入：

    1：1

  • 輸出配置：

    低端

  • 輸出類型：

    N 通道

  • 接口：

    開(kāi)/關(guān)

  • 電壓 - 負(fù)載：

    55V（最大）

  • 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：

    不需要

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    25A

  • 導(dǎo)通電阻（典型值）：

    280 毫歐（最大）

  • 輸入類型：

    非反相

  • 特性：

    狀態(tài)標(biāo)志

  • 故障保護(hù)：

    限流（固定），超溫，過(guò)壓

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 描述：

    IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST
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更多VNP35N07供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-1 16:07:00

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