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VQ1001J中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

VQ1001J
廠商型號(hào)

VQ1001J

功能描述

Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs

文件大小

51.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-26 17:47:00

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VQ1001J規(guī)格書詳情

features

 Low On-Resistance: 0.85 

 Low Threshold: 1.4 V

 Low Input Capacitance: 38 pF

 Fast Switching Speed: 9 ns

 Low Input and Output Leakage

benefits

 Low Offset Voltage

 Low-Voltage Operation

 Easily Driven Without Buffer

 High-Speed Circuits

 Low Error Voltage

applications

 Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS

 Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,

Displays, Memories, Transistors, etc.

 Battery Operated Systems

 Solid-State Relays

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    VQ1001J

  • 功能描述:

    MOSFET QD 30V 0.83A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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