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VS-1EFH02-M3/I

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 封裝/外殼：DO-219AB 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 200V 1A SMF

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-1EFH02-M3

HyperfastRectifier,1AFREDPt?

FEATURES ?Hyperfastrecoverytime,reducedQrr,andsoft recovery ?175°Cmaximumoperatingjunctiontemperature ?Specifiedforoutputandsnubberoperation ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C ?MeetsJESD201c

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-1EFH02-M3

Lowforwardvoltagedrop

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VS-1EFH02-M3/I

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    FRED Pt?

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 二極管類型：

    標準

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    1A

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    DO-219AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DO-219AB（SMF）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 175°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 200V 1A SMF

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更多VS-1EFH02-M3/I供應(yīng)商 更新時間2024-11-1 17:21:00

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