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VS-1N3673A

Medium Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 12 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-1N3673A

包裝：散裝 封裝/外殼：DO-203AA，DO-4，接線柱 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1N3673

Silicon-Power-Rectifiers

Diotec

Diotec Semiconductor

1N3673

SILICONPOWERRECTIFIER

SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●250ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1600V

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N3673

STANDARDRECOVERYRECTIFIERS

DIGITRON

Digitron Semiconductors

1N3673

Silicon-PowerRectifiers

Silicon-PowerRectifiers Nominalcurrent–Nennstrom12A Repetitivepeakreversevoltage50...1000V Weightapprox.–Gewichtca.5.5g Recommendedmountingtorque18±10lb.in. IndexR:Anodetostud/amGewinde(e.g.1N1199A/R)

Diotec

Diotec Semiconductor

1N3673A

MediumPowerSiliconRectifierDiodes,12A

FEATURES ?Voltageratingsfrom50Vto1000V ?Highsurgecapability ?Lowthermalimpedance ?Hightemperaturerating ?CanbesuppliedasJANandJAN-TXdevicesinaccordancewithMIL-S-19500/260 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

1N3673A

SILICONPOWERRECTIFIER

SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●LowForwardVoltage ●250ASurgeRating ●Glasstometalconstruction ●VRRMto1600V

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N3673A

MILITARYSILICONPOWERRECTIFIER

MilitarySiliconPowerRectifier ?AvailableinJAN,JANTXandJANTXV ?MIL-PRF-19500/260 ?Glasspassivateddie ?Glasstometalsealconstruction ?240Ampssurgerating ?VRRMto1000volts

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N3673A

12AMPMEDIUMPOWERSILICONRECTIFIERDIODES

Description/Features ■Voltageratingfrom50to1,000volts ■Highsurgecapability ■Lowthermalimpedance ■Hightemperaturerating ■CanbesuppliedasJANandJAN-TXdevicesinaccordancewithMIL-S-19500/260

IRF

International Rectifier

1N3673A

MilitarySiliconPowerRectifier

MilitarySiliconPowerRectifier ?AvailableinJAN,JANTXandJANTXV ?MIL-PRF-19500/260 ?Glasspassivateddie ?Glasstometalsealconstruction ?240Ampssurgerating ?VRRMto1000volts

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N3673A

MediumPowerSiliconRectifierDiodes,12A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

1N3673A

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N3673A

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N3673AR

HighSurgeCapability

Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom800Vto1000VVRRM ?NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N3673AR

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N3673AR

SiliconStandardRecoveryDiode

[GeneSiCSemiconductor,Inc.] Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto1000VVRRM

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

1N3673AR

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N3673AR

MILITARYSILICONPOWERRECTIFIER

MilitarySiliconPowerRectifier ?AvailableinJAN,JANTXandJANTXV ?MIL-PRF-19500/260 ?Glasspassivateddie ?Glasstometalsealconstruction ?240Ampssurgerating ?VRRMto1000volts

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N3673RA

StudisAnode.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VS-1N3673A

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    12A

  • 速度：

    標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    底座，接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    DO-203AA，DO-4，接線柱

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DO-203AA（DO-4）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 200°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Vishay
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
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更多VS-1N3673A供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-28 14:16:00

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