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VS-1N1186RA

Package:DO-203AB,DO-5,接線柱;包裝:散裝 類別:分立半導體產品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1N1186

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N1186

SiliconStandardRecoveryDiode

Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50to300VVRRM ?NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N1186

PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A

DESCRIPTION/FEATURES ?Lowleakagecurrentseries ?Goodsurgecurrentcapabilityupto1000A ?Canbesuppliedtomeetstringentmilitary,aerospaceandotherhighreliabilityrequirements ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

1N1186

MilitarySiliconPowerRectifier

HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER QualifiedperMIL-PRF-19500/297 ?GlassPassivatedDie ?GlasstoMetalSealConstruction ?500AmpsSurgeRating ?VRRMto1000Volts

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N1186

DEVICEHIGHPOWERSTANDARD

Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto1000V

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

1N1186

STANDARDRECOVERYRECTIFIER

STANDARDRECOVERYRECTIFIER

DIGITRON

Digitron Semiconductors

1N1186

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N1186

StandardRecoveryDiode,35A

NAINA

Naina Semiconductor ltd.

1N1186

SiliconPowerRectifier

SiliconPowerRectifier ?GlassPassivatedDie ?800Asurgerating ?Glasstometalconstruction ?VRRMto1000V

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產品屬性

  • 產品編號:

    VS-1N1186RA

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導體產品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝:

    散裝

  • 二極管類型:

    標準型,反極性

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    40A

  • 速度:

    標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類型:

    底座,接線柱安裝

  • 封裝/外殼:

    DO-203AB,DO-5,接線柱

  • 供應商器件封裝:

    DO-203AB(DO-5)

  • 工作溫度 - 結:

    -65°C ~ 200°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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7350
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更多VS-1N1186RA供應商 更新時間2025-1-27 16:00:00