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VS-1N1200A

Medium Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 12 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

VS-1N1200A

包裝：管件 封裝/外殼：DO-203AA，DO-4，接線柱 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1N1200

SiRectifier

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

1N1200

SILICONPOWERRECTIFIER

SILICONPOWERRECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

DIGITRON

Digitron Semiconductors

1N1200A

SiliconStandardRecoveryDiode

Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom50Vto600VVRRM ?NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N1200A

GERMANIUMPNPTRANSISTORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

1N1200A

DO4STUDDEVICESSTANDARDRECTIFIER

Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto1000VVRRM

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

1N1200A

Silicon-Power-Rectifiers

Diotec

Diotec Semiconductor

1N1200A

MediumPowerSiliconRectifierDiodes,12A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

1N1200A

MediumPowerSiliconRectifierDiodes,12A

FEATURES ?Voltageratingsfrom50Vto1000V ?Highsurgecapability ?Lowthermalimpedance ?Hightemperaturerating ?CanbesuppliedasJANandJAN-TXdevicesinaccordancewithMIL-S-19500/260 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

1N1200A

12AMPMEDIUMPOWERSILICONRECTIFIERDIODES

Description/Features ■Voltageratingfrom50to1,000volts ■Highsurgecapability ■Lowthermalimpedance ■Hightemperaturerating ■CanbesuppliedasJANandJAN-TXdevicesinaccordancewithMIL-S-19500/260

IRF

International Rectifier

1N1200A

Silicon-PowerRectifiers

Silicon-PowerRectifiers Nominalcurrent–Nennstrom12A Repetitivepeakreversevoltage50...1000V Weightapprox.–Gewichtca.5.5g Recommendedmountingtorque18±10lb.in. IndexR:Anodetostud/amGewinde(e.g.1N1199A/R)

Diotec

Diotec Semiconductor

1N1200A

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N1200AR

DO4STUDDEVICESSTANDARDRECTIFIER

Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto1000VVRRM

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

1N1200AR

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N1200C

SILICONPOWERRECTIFIER

SiliconPowerRectifier ?GlassPassivatedDie ?LowForwardVoltage ?400ASurgeRating ?Glasstometalsealconstruction ?VRRMto1600V ?Excellentreliability

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N1200RA

GERMANIUMPNPTRANSISTORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

RL1N1200F

PHOTOFLASHFASTRECOVERYRECTIFIER

HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd

南通康比電子南通康比電子有限公司

RL1N1200F

PHOTOFLASHRECTIFIER(VOLTAGERANGE1000to1800VoltsCURRENT0.5Ampere)

RECTRON

Rectron Semiconductor

USAF1N1200

GERMANIUMPNPTRANSISTORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    VS-1N1200A

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    管件

  • 二極管類型：

    標準

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    12A

  • 速度：

    標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    底座，接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    DO-203AA，DO-4，接線柱

  • 供應商器件封裝：

    DO-203AA（DO-4）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 200°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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