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VS-GT100DA120UF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

VS-GT100DA120UF
廠商型號

VS-GT100DA120UF

參數(shù)屬性

VS-GT100DA120UF 封裝/外殼為SOT-227-4,miniBLOC;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 100 A

封裝外殼

SOT-227-4,miniBLOC

文件大小

191.07 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-28 17:45:00

VS-GT100DA120UF規(guī)格書詳情

FEATURES

? Trench IGBT high speed

? Square RBSOA

? HEXFRED? low Qrr, low switching energy

? Positive VCE(on) temperature coefficient

? Fully isolated package

? Very low internal inductance (? 5 nH typical)

? Industry standard outline

? UL approved file E78996

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    VS-GT100DA120UF

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    HEXFRED?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 配置:

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.55V @ 15V,100A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-227

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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