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VS-GT100TP60N_V01中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VS-GT100TP60N_V01
廠商型號

VS-GT100TP60N_V01

功能描述

Half Bridge IGBT Power Module, 600 V, 100 A

文件大小

189.03 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-15 19:00:00

VS-GT100TP60N_V01規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low VCE(on) trench IGBT technology

? 5 μs short circuit capability

? VCE(on) with positive temperature coefficient

? Maximum junction temperature 175 °C

? Low inductance case

? Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD

? Isolated copper baseplate using DCB (direct copper

bonding) technology

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

? UPS (uninterruptable power supply)

? Switching mode power supplies

? Electronic welders

DESCRIPTION

Vishay’s IGBT power module provides ultra low conduction

loss as well as short circuit ruggedness. It is designed for

applications such as UPS and SMPS.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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