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CED25N02

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,25A,RDS(ON)=23mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=33mW@VGS=2.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU25N02

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,25A,RDS(ON)=23mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=33mW@VGS=2.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

SDD25N02

DiscreteDiodes

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Winbond
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更多W25N02KVZEIUTR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-9 9:20:00

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