W29N02GVBIAF_集成電路(IC) 存儲器-Winbond Electronics

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  • 廠家型號:

    W29N02GVBIAF

  • 制造商:

    Winbond Electronics

  • 庫存數(shù)量:

    0

  • 類別:

    集成電路(IC) 存儲器

  • 封裝外殼:

    63-VFBGA

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 更新時間:

    2024-12-23 14:01:00

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原廠料號:W29N02GVBIAF品牌:Winbond Electronics

資料說明:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

W29N02GVBIAF是集成電路(IC) > 存儲器。制造商Winbond Electronics生產(chǎn)封裝63-VFBGA的W29N02GVBIAF存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    w29n02gvbiaf

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 資料說明:

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    W29N02GVBIAF

  • 制造商:

    Winbond Electronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存儲容量:

    2Gb(256M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    63-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    63-VFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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