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STW38NB20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=38A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.065Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STW38NB20

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY?process,SGS-ThomsonhasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)perarea,

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多W38NB20供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 14:02:00

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