首頁>W66BM6NBUAFJ>芯片詳情

W66BM6NBUAFJ 集成電路（IC）存儲器

W66BM6NBUAFJ參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號：

    W66BM6NBUAFJ

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

  • 庫存數(shù)量：

    56000

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-9 11:06:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：W66BM6NBUAFJ

一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇

W66BM6NBUAFJ是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Winbond Electronics生產(chǎn)封裝N/A/200-WFBGA的W66BM6NBUAFJ存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    W66BM6NBUAFJ

  • 制造商：

    Winbond Electronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - 移動 LPDDR4X

  • 存儲容量：

    2Gb（128M x 16）

  • 存儲器接口：

    LVSTL_11

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    18ns

  • 電壓 - 供電：

    1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 105°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    200-WFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    200-WFBGA（10x14.5）

  • 描述：

    2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, -40C~

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    董文峰 李先生

  • 手機(jī)：

    19924492152

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82542579 19924492152

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振中路華強(qiáng)廣場C座26J

相近型號