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WCR1206-3R3FI中文資料恩智浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

WCR1206-3R3FI
廠商型號

WCR1206-3R3FI

功能描述

RF Power LDMOS Transistor N?Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFET

文件大小

385.37 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-27 16:12:00

WCR1206-3R3FI規(guī)格書詳情

This 93 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for

cellular base station applications covering the frequency range of 1427 to

1517 MHz.

Features

? Advanced high performance in?package Doherty

? Greater negative gate?source voltage range for improved Class C operation

? Designed for digital predistortion error correction systems

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