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Marking：WNs；Package：SOT-26；PNP Silicon Digital Transistor PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackag | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：WNs；Package：SOT-26；PNP Silicon Digital Transistor Array PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackag | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：WNs；Package：SOT-323；PNP Silicon Digital Transistor PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?) ?For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackag | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：WNs；Package：SOT-323；PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) PNPSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=10k?,R2=47k?) | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
Marking：WNs；Package：SOT23；PNP Silicon Digital Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：WNs；Package：SOT363；PNP Silicon Digital Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：WNs；Package：SOT323；PNP Silicon Digital Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：WNSC2M1K0170B7；Package：TO263-7L；N-Channel Silicon Carbide MOSFET Generaldescription SiliconCarbideMOSFETinaTO263-7L plasticpackage,designedforhighfrequency, highefficiencysystems. Featuresandbenefits ?Lowon-resistance ?Fastswitchingspeed ?0Vturn-offgatevoltageforsimplegatedrive ?Easytoparallel ?100%UISTested ?C | WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司 | WEEN | ||
Marking：WNSC2M1K0170J；Package：TO3PF；N-Channel Silicon Carbide MOSFET Generaldescription SiliconCarbideMOSFETinaTO3PFplastic package,designedforhighfrequency,high efficiencysystems. Featuresandbenefits ?Optimizedforfly-backtopologies ?15V/0Vgate-sourcevoltagecompatiblewithfly-backcontrollers ?100%UISTested ?ControllabledV | WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司 | WEEN | ||
Marking：WNSC2M40120W；Package：TO247；N-Channel Silicon Carbide MOSFET Generaldescription SiliconCarbideMOSFETinaTO247plastic package,designedforhighfrequency,high efficiencysystems. Featuresandbenefits ?Lowon-resistance ?Fastswitchingspeed ?0Vturn-offgatevoltageforsimplegatedrive ?100%UISTested ?Easytoparallel ?Cont | WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司 | WEEN |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+R
- 性質(zhì)：
差分放大器射極輸出 （Dual）_表面帖裝型 （SMD）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
50V
- 最大電流允許值：
0.1A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BCR185,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-15
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
WNS
- 制造商：
PennEngineering(PEM)
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
SOT323 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
SOT323 |
7000 |
詢價(jià) | |||
NIA |
24+ |
原廠封裝 |
2500 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
N/A |
24+ |
QFP |
73 |
詢價(jià) | |||
24+ |
DIP40 |
3629 |
原裝優(yōu)勢(shì)!房間現(xiàn)貨!歡迎來電! |
詢價(jià) | |||
WeEn(瑞能) |
2447 |
DFN8X8 |
315000 |
一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
WEEN/NXP |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
HONEYWELL |
23+ |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | |||
WEEN/瑞能 |
22+新年份 |
500000 |
原廠渠道/找正品元器件就找宏橋達(dá)/實(shí)報(bào)實(shí)貨/誠信第一/ |
詢價(jià) | |||
WEEN |
21+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
100 |
保證原裝正品,需要聯(lián)系張小姐 13544103396 微信同號(hào) |
詢價(jià) |
