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7N65	文件：180.91 Kbytes Page：6 Pages	7.4Amps,650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
7N65	文件：150.93 Kbytes Page：8 Pages	7Amps,650Volts7Amps,650Volts DESCRIPTION TheUTC7N65isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
7N65	文件：194.24 Kbytes Page：2 Pages	7Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●7A,650V,RDS(ON)=1.4Ω@VGS=10V/3.5A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司	CHONGQING
7N65	文件：1.15512 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
7N65	文件：2.22764 Mbytes Page：9 Pages	650VN-ChannelPowerMOSFET Features ●RDS(ON)	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一電子山東迪一電子科技有限公司	DYELEC
7N65	文件：137.09 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=7A@TC=25C ?FEATURES ?DrainCurrentID=7A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.35Ω(Max)@VGS=10V ?AvalancheEnergySpecified ?FastSwitching ?APPLICATIONS ?Highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies ?PWM	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
7N65	文件：618.55 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION 7N607N65isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinswitch	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司	ZSELEC
7N65	文件：173.56 Kbytes Page：6 Pages	7.4A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
7N65	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
7N65	文件：1.3107 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description 650VN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features ?RDS(ON)=1.27Ω(Max.)@VGS=10V,ID=3.5A ?Fastswitching ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability Application ?DC-DC&DC-ACConverters ?UninterruptiblePowerSupply(UPS) ?SwitchModeLowPowerSu	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司	TUOFENG
7N65	文件：692.23 Kbytes Page：11 Pages	N-channelpowerMOStube Features VDS(V)=650V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
7N65	文件：549.66 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELMOSFET FEATURES RDS(ON)=1.2Ω@VGS=10V Ultralowgatecharge LowreversetransferCapacitance Fastswitchingcapability Avalancheenergytested Improveddv/dtcapability,highruggedness APPLICATIONS Highefciencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge L	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
7N65	文件：1.98642 Mbytes Page：8 Pages	650VN-ChannelPowerMOSFET Features RDS(ON)	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
7N65	文件：1.98642 Mbytes Page：8 Pages	650VN-ChannelPowerMOSFET Features RDS(ON)	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
7N65A	文件：283.57 Kbytes Page：7 Pages	7A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65AisahighvoltageN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsdesignedtohaveminimizeon-stateresistance,superiorswitchingperformanceandwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode.ThispowerMOSFETiswellsuitedforhigheffi	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
7N65A	文件：1.08437 Mbytes Page：7 Pages	7A650VN-channelenhancementmodefieldeffecttransistor 7A650VN-channelenhancementmodefieldeffecttransistor Performancecharacteristics: ?Fastswitchingspeed ?Lowon-resistance ?Lowreversetransfercapacitance ?Lowgatecharge ?100singlepulseavalancheenergytest ?Improveddv/dtcapability	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
7N65B	文件：194.24 Kbytes Page：2 Pages	7Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●7A,650V,RDS(ON)=1.4Ω@VGS=10V/3.5A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司	CHONGQING
7N65C	文件：886.6 Kbytes Page：10 Pages	650VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
7N65D	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
7N65F	文件：194.24 Kbytes Page：2 Pages	7Amps,650VoltsN-CHANNELMOSFET FEATURE ●7A,650V,RDS(ON)=1.4Ω@VGS=10V/3.5A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司	CHONGQING

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深圳新景潤(rùn)電子科技有限公司	WP7N65KD	萬(wàn)芯	24+	TO-252	880000	原裝正品,原廠發(fā)貨	詢(xún)價(jià)
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深圳市得捷芯城科技有限公司	WP7-P010VA1	JAE	23+	NA/	6850	原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票	詢(xún)價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	WP7-P010VA1-R500	JAE	20+	連接器	2963	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢(xún)價(jià)
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更多WP7N65KD供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-19 9:30:00

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