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X3C26P1-03RF/IF射頻/中頻RFID的RF定向耦合器規(guī)格書PDF中文資料

X3C26P1-03
廠商型號

X3C26P1-03

參數(shù)屬性

X3C26P1-03 封裝/外殼為2520(6450 公制);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為RF/IF射頻/中頻RFID的RF定向耦合器;X3C26P1-03應(yīng)用范圍:LTE,WiMAX;產(chǎn)品描述:RF DIR COUPLER 2.3GHZ-2.9GHZ SMD

功能描述

RF Power GaN Transistor

文件大小

374.42 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-25 20:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    X3C26P1-03S

  • 制造商:

    TTM Technologies, Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > RF 定向耦合器

  • 系列:

    Xinger III?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 耦合器類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 頻率:

    2.3GHz ~ 2.9GHz

  • 耦合系數(shù):

    3dB

  • 應(yīng)用:

    LTE,WiMAX

  • 插損:

    0.2dB

  • 功率 - 最大值:

    80W

  • 隔離:

    20dB

  • 回波損耗:

    20.1dB

  • 封裝/外殼:

    2520(6450 公制)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SMD

  • 描述:

    RF DIR COUPLER 2.3GHZ-2.9GHZ SMD

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