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YG862C12R中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

YG862C12R
廠商型號

YG862C12R
功能描述

Schottky Barrier Rectifier
文件大小

268.89 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-26 12:40:00
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YG862C12R規(guī)格書詳情

FEATURES

·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.

·Low Leakage Current.

·High Current Capability, High Efficiency.

·High Junction Temperature Capability.

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    YG862C12R

  • 制造商：

    FUJI

  • 制造商全稱：

    Fuji Electric

  • 功能描述：

    High Voltage Schottky barrier diode

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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