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ZXTD618MCTA中文資料DIODES數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ZXTD618MCTA
廠商型號

ZXTD618MCTA

功能描述

DUAL 20V NPN LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

文件大小

190.02 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 11:12:00

ZXTD618MCTA規(guī)格書詳情

Features and Benefits

? BVCEO > 20V

? IC = 4.5A Continuous Collector Current

? Low Saturation Voltage (150mV @ 1A)

? RSAT = 47m? for a Low Equivalent On-Resistance

? hFE specified up to 6A for high current gain hold up

? Dual NPN saving footprint and component count

? Low profile 0.8mm high package for thin applications

? RθJA efficient, 40 lower than SOT26

? 6mm2 footprint, 50 smaller than TSOP6 and SOT26

? Lead-Free, RoHS Compliant (Note 1)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 2)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

? DC-DC Converters

? Charging circuits

? Motor control

? Power switches

? Portable applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    ZXTD618MCTA

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT Dual 20V NPN Low Sat Ic 4.5A 150mV

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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