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IMW120R040M1H

Marking：12M1H040；Package：PG-TO247-3-STD-N2.5；CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : silicon carbide MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDCC=55AatTvj=25°C ?RDS(on)=39mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Shortcircuitwithstandtime3μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltageca

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMZA120R040M1H

Marking：12M1H040；Package：PG-TO247-4-STD-T3.7；CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDCC=55AatTvj=25°C ?RDS(on)=39mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Shortcircuitwithstandtime3μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltageca

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多12M1H040供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-4 16:30:00

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